TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TPN4R203NC,L1Q |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5000+ | $0.4595 |
10000+ | $0.4422 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
Serie | U-MOSVIII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 11.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A (Ta) |
Grundproduktnummer | TPN4R203 |
TPN4R203NC,L1Q Einzelheiten PDF [English] | TPN4R203NC,L1Q PDF - EN.pdf |
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TPN4R203NC,L1QToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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